MOSFET and IGBT – ITI NIMI Mock TestTestMOSFET and IGBT (एमओएसएफईटी और आईजीबीटी) – ITI NIMI Mock Test Electronic Mechanic Theory 1st Year MOSFET and IGBT - ITI NIMI Mock Test Electronic Mechanic Theory 1st Year 1 / 151. What is the drawback of IGBT compared to the power MOSFET? | पावर MOSFET की तुलना में IGBT की क्या खामी है? A) Poor switching speed | खराब स्विचिंग गति B) Poor current conduction capability | ख़राब धारा संचालन क्षमता C) Higher driving power requirement | उच्च ड्राइविंग शक्ति की आवश्यकता D) Not suitable for power applications | बिजली अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त नहीं है 2 / 152. What is the full form of the MOSFET? | MOSFET का पूर्ण रूप क्या है? A) Minimum output signal FET | न्यूनतम आउटपुट सिग्नल FET B) Medium oscillator signal FET | मीडियम ऑसिलेटर सिग्नल FET C) Metal oxide semiconductor FET | धातु ऑक्साइड अर्धचालक FET D) Metal organic serial FET | मेटल ऑर्गेनिक सीरियल FET 3 / 153. Which circuit uses the enhancement type MOSFET? | कौन सा सर्किट एन्हांसमेंट प्रकार MOSFET का उपयोग करता है? A) High frequency switching circuits | उच्च आवृत्ति स्विचिंग सर्किट B) High power amplifier circuits | उच्च शक्ति एम्पलीफायर सर्किट C) Low power oscillator circuits | कम शक्ति वाले असलेटर सर्किट D) Integrated MOS switching circuits | एकीकृत एमओएस स्विचिंग सर्किट 4 / 154. Why the electronic device IGBT is preferred over the power MOSFET? | पावर MOSFET की तुलना में इलेक्ट्रॉनिक उपकरण IGBT को प्राथमिकता क्यों दी जाती है? A) Low switching speed | कम स्विचिंग गति B) Higher driving power requirement | उच्च ड्राइविंग शक्ति की आवश्यकता C) Higher switching repetition rates | उच्च स्विचिंग पुनरावृत्ति दर D) Suitability for medium power applications | मध्यम शक्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्तता 5 / 155. What is the maximum blocking voltage of very high current handling IGBT modules? | बहुत उच्च धारा प्रबंधन वाले आईजीबीटी मॉड्यूल का अधिकतम अवरोधक वोल्टेज क्या है? A) 440 V B) 1000 V C) 5000 V D) 6000 V 6 / 156. What is the advantage of IGBT? | IGBT का क्या फायदा है? A) It has low input impedance | इसमें कम इनपुट प्रतिबाधा है B) Low efficiency and slow switching | कम दक्षता और धीमी स्विचिंग C) High efficiency and fast switching | उच्च दक्षता और तेज़ स्विचिंग D) IGBT is a gate current driven device | आईजीबीटी एक गेट करंट चालित उपकरण है 7 / 157. How the two series connected channel regions of the depletion type dual gate MOSFET is controlled? | कमी प्रकार के दोहरे गेट MOSFET के दो श्रृंखला से जुड़े चैनल क्षेत्रों को कैसे नियंत्रित किया जाता है? A) Independently controlled | स्वतंत्र रूप से नियंत्रित B) Alternately controlled | वैकल्पिक रूप से नियंत्रित C) One at a time is controlled | एक-एक करके नियंत्रित किया जाता है। D) Both are simultaneously controlled | दोनों को एक साथ नियंत्रित किया जाता है। 8 / 158. What is the input impedance of IGBT? | IGBT की इनपुट प्रतिबाधा क्या है? A) Low input impedance | कम इनपुट प्रतिबाधा B) High input impedance | उच्च इनपुट प्रतिबाधा C) Medium input impedance | मध्यम इनपुट प्रतिबाधा D) Infinity input impedance | अनंत इनपुट प्रतिबाधा 9 / 159. What is the advantage of MOSFET? | MOSFET का क्या फायदा है? A) Fast switching speed | तेज़ स्विचिंग गति B) Slow switching speed | धीमी स्विचिंग गति C) Higher power gate signal | उच्च शक्ति गेट सिग्नल D) Low thermal Ionisation of electron-holes | इलेक्ट्रॉन-छिद्रों का निम्न तापीय आयनीकरण 10 / 1510. Which insulation layer is used in MOSFET? | MOSFET में किस इन्सुलेशन परत का उपयोग किया जाता है? A) Silicon-di-oxide | सिलिकॉन डाइऑक्साइड B) Arsenic material | आर्सेनिक सामग्री C) Antimony material | सुरमा सामग्री D) Germanium material | जर्मेनियम सामग्री 11 / 1511. What is the type of MOSFET symbol? | MOSFET प्रतीक का प्रकार क्या है? A) N-channel enhancement type MOSFET B) P-channel enhancement type MOSFET C) N-channel depletion type MOSFET D) P-channel depletion type MOSFET 12 / 1512. What is the type of opto coupler? | ऑप्टो कपलर का प्रकार क्या है? A) Photo - SCR B) Photo - TRIAC C) Photo - Transistor D) Photo – Darlington 13 / 1513. What is the main advantages of IGBT over BJT? | BJT की तुलना में IGBT के मुख्य लाभ क्या हैं? A) Fast switching speed | तेज़ स्विचिंग गति B) Superior current conduction capability | सुपीरियर वर्तमान संचालन क्षमता C) Reverse bias secondary break downs | रिवर्स बायस सेकेंडरी ब्रेकडाउन D) Thermal limits are pushed to the edge | थर्मल सीमाएं किनारे तक धकेल दी जाती हैं 14 / 1514. What is the name of electronic component symbol? | इलेक्ट्रॉनिक घटक प्रतीक का क्या नाम है? A) JFET B) IGBT C) P channel MOSFET depletion type D) N channel MOSFET depletion type 15 / 1515. What is the name of the electronic component symbol? | इलेक्ट्रॉनिक घटक प्रतीक का नाम क्या है? A) N- channel depletion type MOSFET B) P- channel depletion type MOSFET C) N- channel enhancement type MOSFET D) P- channel enhancement type MOSFET Your score is Facebook Twitter Restart Test